一、产品简介

  GDS-100N辉光放电光谱元素分析仪整机采用一体化设计，辉光放电溅射源、高分辨率多通道光谱仪、样品腔与光路耦合单元集成在同一系统内，形成“溅射-激发-收集-分光”全链路封闭系统。

  采用脉冲射频光源，脉冲射频模式可将等离子体热负荷降低80%，深度分辨率≤1 nm，对光刻胶、玻璃、陶瓷、Li电池隔膜等温敏样品同样适用。

 GDS-100N最多可配置60+元素通道采集，采集元素可根据用户需求自由定制，光谱分辨率达到24 pm，单次溅射可同时获得1 nm–100 µm深度范围内元素的定量分布，溅射速率大于1µm每分钟，满足工业产线快速质检与科高精度剖析的双重需求。

 自研GDS-100N分析软件，内置涵盖钢铁、半导体、LED等行业常见的镀层/基体标准样品库，谱线名称、结果显示全中文；一键自动拟合溅射速率、背底扣除与多层膜厚度，支持用户自建合金、氧化物等中文谱库，持续扩展检测能力。

GDS-100N以“高深度分辨、高元素覆盖、高样品适应性”三大核心指标，已成为新材料、半导体、新能源、钢铁、航天等领域镀层工艺优化与失效分析不可或缺的高端表征工具。

二、产品特点

1、采用一体化设计，稳定性优异。

2、脉冲射频光源设计，脉冲射频模式，适用于多种样品类型。在分析导体、半导体、非导体样品时，软件一键操作，无需切换或更换任何部件。

3、可选60余种元素分析通道，支持用户按需定制。

4、单次溅射深度超过100μm，深度分辨率达1nm。

5、光谱仪系统采用气体吹扫设计，覆盖120–800nm紫外-近红外波段；配备2400刻线光栅，光谱分辨率达24 pm。

6、探测器标配光电倍增管，信噪比优异，动态范围达5*10⁹，可选配CCD探测器。

7、主机可选配直接光耦合单色仪系统，覆盖160-800nm波段，搭配3600刻线光栅，扩展元素测量灵活性。

8、提供1mm至10mm多种尺寸光源可选，可根据需求定制不同样品夹具。

三、产品参数

•半导体与先进封装：测量各层界面扩散、杂质掺杂及镀层均匀性。

•新能源电池：隔膜陶瓷涂层、集流体极耳元素扩散。金属双极板腐蚀元素迁移。

•钢铁与功能性镀层：元素渗透。

•航空航天与高温防护：多层膜原子氧剥蚀评估。

•光学与光电子：界面掺杂。

•表面工程与涂层技术：层间元素分布。